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Silicon Avalanche Photodiode 400-1100nm Peak wavelength 905nm
800μm, 500μm, 230μm photosensitive surface;Laser distance measurement, laser warning, LIDAR and other applications.
Model：YB-SIAPD-X
Contact：
Huang
Email: Hqy@ybphotonics.com
Huang
Email: Hqy@ybphotonics.com
Product Info
Introduction
800μm, 500μm, 230μm photosensitive surface;Laser distance measurement, laser warning, LIDAR and other applications.
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400-1100nm Silicon Avalanche Photodiode.pdf download
Features & Applications
- High-speed response, high gain, low junction capacitance, low noise
- Positively illuminated planar type chip structure
- 800μm, 500μm, 230μm photosensitive surface
- Laser distance measurement, laser warning, LIDAR and other applications
Specifications
Parameter Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit Response Spectrum λ 一 400～1100 nm Photosensitive diameter ∅ 一 230（1）、500（2）、800（3） μm Responsivity Re λ=905nm，φe=1μW, M=100 一 50 一 A/W Dark Current ID M=100 0.02（1） 0.05（1） 0.2（1） nA 0.05（2） 0.1（2） 0.4（2） 0.1（3） 0.2（3） 0.8（3） Response time ts f=1MHz,RL=50Ω,λ=905nm 0.3 ns Total capacitance Ctot M=100,f=1MHz 1.5（1） pF 3（2） 5（3） Optimal magnification M 100 Reverse Breakdown Voltage VBR IR=10uA 80 一 200 V Temperature coefficient of VBR δ Tc=-40℃～85℃ 0.5（1） V/℃ 0.5（2） 0.5（3）
800μm, 500μm, 230μm photosensitive surface;Laser distance measurement, laser warning, LIDAR and other applications.
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Features & Applications
- High-speed response, high gain, low junction capacitance, low noise
- Positively illuminated planar type chip structure
- 800μm, 500μm, 230μm photosensitive surface
- Laser distance measurement, laser warning, LIDAR and other applications
Specifications
| Parameter | Symbol | Test Condition | Min. | Typ. | Max. | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Response Spectrum | λ | 一 | 400～1100 | nm | ||
| Photosensitive diameter | ∅ | 一 | 230（1）、500（2）、800（3） | μm | ||
| Responsivity | Re | λ=905nm，φe=1μW, M=100 | 一 | 50 | 一 | A/W |
| Dark Current | ID | M=100 | 0.02（1） | 0.05（1） | 0.2（1） | nA |
| 0.05（2） | 0.1（2） | 0.4（2） | ||||
| 0.1（3） | 0.2（3） | 0.8（3） | ||||
| Response time | ts | f=1MHz,RL=50Ω,λ=905nm | 0.3 | ns | ||
| Total capacitance | Ctot | M=100,f=1MHz | 1.5（1） | pF | ||
| 3（2） | ||||||
| 5（3） | ||||||
| Optimal magnification | M | 100 | ||||
| Reverse Breakdown Voltage | VBR | IR=10uA | 80 | 一 | 200 | V |
| Temperature coefficient of VBR | δ | Tc=-40℃～85℃ | 0.5（1） | V/℃ | ||
| 0.5（2） | ||||||
| 0.5（3） | ||||||
Product Inquiry
Leading manufacturer of photodetector modules and fiber optic sensing system modules
